“科创中国”技术路演活动

     新材料专场

一、活动背景

随着科学技术的进步，新材料不断地呈现发展趋势，用途也不断向多种领域扩展，新材料作为新兴产业发展的基础和先导，应用范围极其广泛。为加快推进新材料产业高质量发展，“科创中国”助力科技型企业探索可持续发展模式，构筑协同创新的价值共同体，为相关领域科技企业组织项目技术路演——新材料专场活动。

二、活动信息

主办单位：中国科学技术协会

承办单位：中国科协科学技术传播中心

北京市科技金融促进会   

中关村认同应用技术跨界创新联盟

智银科创中心     

协办单位：中国人民大学EE金融学会

          智银空间

北京跨创科技服务有限公司

三、活动形式

1、活动时间：9月8日（星期四） 14:00-16:30

2、活动方式：线上会场采用腾讯会议系统（会议号：630-599-486）

参与企业：本次邀请六家企业依次进行项目路演

备注：每家企业10分钟+ 提问、点评5分钟

3、活动安排：活动将聚焦优质科研成果转化项目、科创企业进行展示，业内专家点评，致力于构建政产学研用金介合作平台，打通产业链、创新链，创新资源云聚集，助力创业项目成长壮大，促进国际科技创新合作，推动技术要素与资本要素融合发展，助力企业创新产业转型升级，推动高质量发展。

四、活动流程

      14:00-14:20  活动开始，主持人开场

14:20-16:30  项目路演及问答互动（每个项目约10分钟成果介绍、5分钟互动交流）

16:30-17:00  活动交流

五、项目介绍

Ø 项目一：聚芳酯长丝产业化项目

    公司开发成功的高性能纤维有间位芳纶纤维、对位芳纶纤维及最近开发成功的LCP纤维，填补了国内高性能LCP纤维产业化艺

技术的空白，取得了6只发明6只实用专利，并取得了上海市科委颁发的成果转化证书，性能达到目前世界上唯一产业化生产的日本可乐丽公司，聚芳酯纤维性能全面超过对位芳纶，有些主要性能是对位芳纶不具备的，能广泛应用在航天航空和武器装备领域及海洋工程和电子通讯等工业制造业领域。

Ø 项目二：宽禁带半导体产业化

宽禁带半导体产业化项目由留德人员发起，联合了欧盟第三代半导体实验室、西北工业大学、南京大学、东南大学、西安电子科技大学等国内外研究机构和知名专家，致力于宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料SiC的晶体生长、大规模制备及超宽禁带半导体材料Ga2O3,AlN的研发生产和销售。

Ø 项目三：二次碱锰电池项目

传承自Kordesch的真钵的基础上，开发了新的正极、负极的新型催化剂，解决了使用国产正负极材料代替进口材料的问题。由于新型催化剂的使用，容量比国外增加10%以上， 当时国外的研发，对标产品是一次碱锰产品，是普适通用型的，也就是一个产品兼顾所有应用场景。难以达到最优化的状态，但是我们可以实现专用化设计。针对各自使用场合，从材料到配方到工艺都实施各自最优化，如储能型的（用于配套太阳能光伏板）、动力型（用于电动车）、脉冲型（用于汽车点火）新产品。

Ø 项目四：运输机场沥青道面雾封层养护技术

机场道面雾封层材料，粘度可达普通乳化沥青的3倍以上，实现了低温环境(3ºC)下63分钟达到干燥状态，比传统雾封层材料性能提高50%以上, 保证沥青道面使用寿命达3年以上。研发了低压频率、高压喷射的运输机场沥青道面雾封层洒布设备，并结合半自动化控制系统提高了雾封层喷洒精确性、均匀性和施工效率。基于不停航预防性养护的要求和不同类型雾封层材料特性，形成了不停航不同类型雾封层材料精细化施工工艺，构建了机场沥青道面雾封层耐久性评价技术。

Ø 项目五：碳基复合材料在半导体芯片晶体管及柔性智能显示薄膜电极中的应用

本产品是采用原位生长碳纳米管和纳米银线的电解溶液再渗透进入 Pt 键晶核配位形成复合型的 CTN/AgNWs；首先自制茶多酚做还原剂以氯化银做银源，经过纯化后合成的银纳米线做催化剂通过裂解生长成碳纳米管，再经过高度纯化，以平面工艺设计碳基三维异构集成顺排金属线路，在理想气体分子下气化碳纳米管，使其阈值生成两层碳纳米基晶体管。银纳米线嫁接碳纳米管可以减少碳管孔洞空位缺陷，从而减少接触电阻、增加晶体管数量处理器的运算效率更高，可增强连续并联串联的导电网通路更长的沟道效应，强场效应、薄氧化层的隧穿效应和功率耗散增加曲率效应。

Ø 项目六：基于纳米多孔碳膜的氢气燃料电池核心部件

    本产品是采用原位生长碳纳米管和纳米银线的电解溶液再渗透进入 Pt 键晶核配位形成复合型的 CTN/AgNWs；首先自制茶多酚做还原剂以氯化银做银源，经过纯化后合成的银纳米线做催化剂通过裂解生长成碳纳米管，再经过高度纯化，以平面工艺设计碳基三维异构集成顺排金属线路，在理想气体分子下气化碳纳米管，使其阈值生成两层碳纳米基晶体管。银纳米线嫁接碳纳米管可以减少碳管孔洞空位缺陷，从而减少接触电阻、增加晶体管数量处理器的运算效率更高，可增强连续并联串联的导电网通路更长的沟道效应，强场效应、薄氧化层的隧穿效应和功率耗散增加曲率效应。

六、活动效果

本次活动主要针对“高、精、尖、专”的科技类企业项目进行对接、政策落地、人才对接等方面的企业服务。

服务内容包括为企业提供路演会前成果梳理、会中科研院所及政府参与、会后相关机构信息反馈三个主要内容，让项目负责人能够接触到最为直观的政策信息反馈。主办方也会在会议结束之后，总结各方的需求与信息，跟踪项目方融资、资源对接等各方面的成长，进行跟踪服务。